Это модель движения заряженной частицы в многослойной полупроводниковой наноструктуре, основанная на методе матриц переноса.
Для некоторых конфигураций потенциального барьера на кривой коэффициента пропускания может наблюдаться резонансный пик на энергиях частицы ниже высоты барьера, соответствующий квантовому туннелированию. Этот эффект наблюдается для данных, используемых здесь по умолчанию, описывающих электрон, движущийся через два прямоугольных барьера шириной 2 нм в арсениде галлия (GaAs).
1. Редактируем и применяем координаты потенциального барьера и эффективных масс — разделённые пробелами наборы троек (x, U, m). Единицы измерения: x в нм, U в мэВ, m в массах покоя электрона.
2. Вычисляем коэффициент пропускания. — Считаем...